日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;變頻器配件

日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

產(chǎn)品參數(shù)：

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關(guān)損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應(yīng)用的解決方案

3300V IGBT模塊型號(hào)：

MBN1200D33A

MBN1200H45E2-H

MBN1500E33E3

MBN1200E25E

MBL800E33C

MBL400E33D

MBL1000E33E-B

MBL1000E33E2-B

MBN800E33D-P

MBN1200E33C 

MBN1500E33C

MBN1200D33C

MBN1000GR12A

MBN1200E17D

MBN1200E33D

MBN1200E33E

MBN1500E33E

MBN1800D17C

MBN800E33D

MBN800E33E

MDM1200H45E2-H

MBN1200H45E2-H

MDM800E33D

MBN750H65E2

MDM750H65E2

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

特征描述

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：1700 V

電流 - 集電極 (Ic)：2400 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻：無(wú)

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：AG-62MM

產(chǎn)品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過(guò)載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過(guò)載情況下工作結(jié)溫可達(dá)到175°C

壓接式控制引腳

日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

優(yōu)勢(shì)：

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：

不間斷電源（UPS）

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

變頻器

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

銷售國(guó)內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國(guó)伊凱基ELECTRONICON，法國(guó)湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國(guó)BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國(guó)CDE無(wú)感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板

操作面板

日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

電動(dòng)機(jī)

不間斷電源

太陽(yáng)能面板安裝

電焊機(jī)

電源轉(zhuǎn)換器與反相器

電感充電器

電磁爐